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我國研制成功100G硅光收發芯片

2018年08月31日08:15 | 來源:經濟參考報
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原標題:我國研制成功100G硅光收發芯片

  記者從中國信息通信科技集團獲悉,我國自行研制的“100G硅光收發芯片”日前在武漢投產使用,並通過了用戶現網測試,性能穩定可靠。這標志著我國商用100G硅光芯片正式研制成功,將推動我國自主硅光芯片技術邁上新台階。

  這款硅光芯片由國家信息光電子創新中心、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司以及中國信息通信科技集團聯合研制,在一個不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光發送、調制、接收等近60個有源和無源光元件。芯片具備超小型、高性能、低成本、通用化等優點,可廣泛應用於傳輸網和數據中心光傳輸設備。

  國家信息光電子創新中心專家委員會主任、中國工程院院士余少華表示,100G硅光芯片的產業化商用,表明我國已經具備硅光產品商用化設計的條件和基礎。未來,硅光技術將在光通信系統中大規模部署和應用,推動我國自主硅光芯片技術向超高速、超大容量、超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向發展。(記者 徐海波)

(責編:王紹紹、賀迎春)

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